به آگاهی می رساند جلسه دفاع از رساله دکترای آقای مهندس سجاد ساریخانی در رشته مهندسی شیمی با عنوان "مطالعه آزمایشگاهی رشد پلیکریستال نمک خوراکی کلرور سدیم و پتاسیم از محلول آبی و شبیه سازی دینامیک مولکولی آن جهت تعیین نحوهی رشد" روز شنبه 19 مهرماه 1404 ساعت 9 صبح در سالن سعدی دانشکده مهندسی شیمی، نفت و گاز برگزار می گردد. استاد راهنمای این رساله جناب آقای دکتر خرم و اساتید مشاور جناب آقای دکتر مولا و جناب آقای دکتر کنعانی هستند. چکیده این رساله به شرح زیر است:
یون پتاسیم به دلیل تاثیر مثبت بر سیستم عصبی و کمک به تنظیم فشار خون نقش مهمی در سلامت انسان ایفا میکند. تولید پلیکریستال نمک خوراکی با درصد معین از سدیم و پتاسیم کلراید میتواند به عنوان منبعی مطمئن و ایمن جهت تامین نیازهای روزانه هر فرد به یون پتاسیم در نظر گرفته شود. در پژوهش حاضر از شبیه سازی دینامیک ملکولی به منظور بررسی امکان تشکیل پلی کریستال نمک سدیم و پتاسیم کلراید از محلول آبی فوق اشباع در حال تبخیر بهره گیری شده است. نتایج شبیه سازی انجام شده موید امکان پذیربودن تشکیل نمک پلی کریستالی از طریق تبخیر محلول حاوی سدیم و پتاسیم کلراید می باشد. تعیین پارامترهای آزمایش نظیر نرخ تبخیر، دما، فشار، غلظت سدیم و پتاسیم کلراید، درصد جرمی دانه ریزی مبتنی بر نتایج شبیه سازی بوده است. در آزمایش به روش تبخیری مکانیسم هسته زایی غالب در سیستم، هسته زایی ثانویه و رشد به صورت اپیتاکسی تشخیص داده شد.
تصاویر و نتایج حاصل از SEM-ESD آزمایش به روش سرد سازی موید غالب بودن هسته زایی اولیه گونه پتاسیم کلراید به صورت کریستال های تکین در سیستم می باشد. این پدیده به دلیل حساسیت بالای میزان حلالیت پتاسیم کلراید به دما در مقایسه با سدیم کلراید می باشد و می توان نتیجه گیری کرد که روش سرد سازی کمکی به بهینه کردن شرایط تشکیل پلی کریستال سدیم و پتاسیم کلراید نخواهد کرد و روش تبخیری جهت تشکیل پلی کریستال مناسب تر از روش سرد سازی می باشد.
تکرار آزمایش و بررسی نتایج حاصل از یون کروماتوگرافی نشان دهنده درصد خطای نسبی ناچیز می باشد. بنابراین نتایج حاصل از آزمایش قابل اطمینان و تکرار پذیر می باشند. روش تبخیری قابلیت اطمینان بالا و مناسبی جهت تولید پلی کریستال نمک کلرور سدیم و پتاسیم دارد و می توان با تنظیم میزان برداشت حلال، درصد جرمی پتاسیم کلراید در پلی کریستال های تشکیل شده کنترل نمود.
از تمامی علاقه مندان برای شرکت در این جلسه دعوت بعمل می آید.
